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J-GLOBAL ID：201602007159185186   整理番号：66A0289244

510MeVの陽子との180kVのX線の遺伝器管に及ぼす影響

Determination of the biological effect of protons with energies of Mev and Xrays with energies of kV on hereditary structures.

著者 (2件)： PLOTNIKOVA Y D ,  STRASHNENKC S I
資料名： NASA Tech Transl  (NASA Technical Translation)
号： 1353  ページ： 151-156  発行年： 1965年 
JST資料番号： B0399B  CODEN： NASSA   資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： アメリカ合衆国 (USA) 

抄録/ポイント： 放射線による遺伝の変化の指数として我々はdominant lethalを用いた。優勢変異はいろいろな型や分量の染色体の変異と相関がある。250~300gのラットに対し510MeVの55~1030radの陽子を照射し妊娠後14~16日にと殺し,黄体の数,接種の場所および胎児の数について調べた。180kVのX線の場合と比較し共に死亡率は指数関数的に増加することが明らかにされた。陽子においては,高いイオン化傾向を持つスターの発生を考慮しなければならないが染色体の再編成が照射量によって変ることに原因が考えられる;表1参16

タイトルに関連する用語 (3件)： 陽子 ,  X線 ,  遺伝