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J-GLOBAL ID：201602007208436475   整理番号：71A0121726

直線掃引ボルタンメトリー非補償セル抵抗と二重層の充電に対する分極曲線の影響

Linear sweep volt ammetry. Effect of uncompensated cell resistance and double layer charging on aolarization curves.

著者 (2件)： IMBEAUX J C ,  SAVENT J M
資料名： J Electroanal Chem Interf  (Journal of Electroanalytical Chemistry)
巻： 28  号： 2  ページ： 325-338  発行年： 1970年 
JST資料番号： D0037A  ISSN： 0022-0728  CODEN： JEACA   資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 作用電極に流れるファラディック電流において,直線的に電位掃引するときセル抵抗のためのオーミックドロップがおこることによりピーク電位がシフトしたり,ピーク電流値が減少したり,ピーク幅が増大したりする。セル抵抗の大きさや二重層の微分容量に対する分極曲線のオーミックドロップの影響について理論的関係式を導いた。アセトニトリル中でのフルオレノンーフルオレノンアニオン系を用いて一連の実験おこない,理論の正当性を確かめた。オーミックドロップが小さい場合には簡単な補正作業をおこなえばよいことを示唆した;写図8表1参7

シソーラス用語： ボルタンメトリー ,  電気二重層 ,  分極

タイトルに関連する用語 (8件)： 直線 ,  掃引 ,  ボルタンメトリー ,  補償 ,  セル ,  二重層 ,  充電 ,  分極曲線