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J-GLOBAL ID：201602007213697929   整理番号：70A0124847

フェニルひ素化合物のSzilard-Chalmers効果に関する研究 3 照射条件の影響

Untersuchungen zum Szilard-Chalmers-Effekt an Phenylarsenverbindungen. Einfluss der Bestrahlungsbedingungen. III. Triphenylarsenverbindungen.

著者 (1件)： GROSSMANN G
資料名： Radiochim Acta  (Radiochimica Acta)
巻： 13  号： 1  ページ： 31-37  発行年： 1970年 
JST資料番号： C0563A  ISSN： 0033-8230  CODEN： RAACA   資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： ドイツ語 (DE)

抄録/ポイント： Ph₃As(OH)₂,Ph₃AsOおよびPh₃Asを各種の条件下(中性子束,γ線量,温度,反応系中の酸素の有無)で照射した。放射性ひ素で標識された化合物の相対的な分布を調べた。第1次および第2次過程による放射能分布;ラジカル捕そく剤として酸素を添加した場合の,拡散律速である第2次過程の変化;熱アニーリングによって起る第3次過程;γ線によって起る第4次過程などについて検討した。Ph₃As(OH)₂,Ph₃AsO,Ph₃Asの第1次および第2次過程のリテンション(Ph₃As-生成物の収率)は,それぞれ,2,1,5,2.5%である。また,Ph₂As-生成物は2,3,2%,PhAs-生成物は13,16.5,16%である;写図3表5参16

シソーラス用語： 標識化合物 ,  放射線効果 ,  有機ひ素化合物
準シソーラス用語： Szilard-Chalmers反応 ,  フエニル基

タイトルに関連する用語 (3件)： フェニル ,  ひ素化合物 ,  研究