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文献
J-GLOBAL ID:201602007228799434   整理番号:58A0053827

ホール効果利用の4Gc電力測定

Power Measurement at 4 Gc/s by the application of the Hall Effect in a Semiconductor.
著者 (2件):
資料名:
巻: 106  号: 25  ページ: 27-30  発行年: 1959年
JST資料番号: D0381A  資料種別: 逐次刊行物 (A)
発行国: イギリス (GBR) 
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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導波管に結合した共振空胴の中に半導体(Ge)をつり,生ずるホール起電力にょり伝送電力を測定する装置を恥c帯で作った. 30mW から約 20w まで ±3% の誤差で測定できる,定在波比0.1~1の範囲でよく,吸収電力は約う善%にすぎない,感度は 22.3μV/W である,また,広帯域型として,導波管中に三箇の半導体を並べ,カスケード接続して広帯域化した実験結果も述べた
タイトルに関連する用語 (2件):
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