文献

J-GLOBAL ID：201602007272064620   整理番号：71A0244536

線を埋込んだ多層セラミック

Buried wire multilayer ceramics.

著者 (1件)： HARGIS B M
資料名： Solid State Technol  (Semiconductor Products)
巻： 14  号： 5  ページ： 47-50  発行年： 1971年 
JST資料番号： E0226A  ISSN： 0038-111X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 多層基板はICの電気的通路を短かくすることができるため,スイッチング時間の短縮が可能である。セラミックパッ.ケージやセラミ憂ク基板は気密性がよ.く,熱伝達特性もよいため,ICに適している。単体のパッケージ,マルチチップパッケージなどの現状を解説し.多層セラミック用材料として,アルミナ・セラミック基楓,W,Mo,Pd,Ptなどのメタラィズ金属の特性。処理技術およびこれらに関係した厚膜技術を述べた。また,最小線幅,最小線間隔,穴問隔,絶縁膜厚,寸法などの設計パラメータとその許容限界を検討した;写図9表1

シソーラス用語： セラミック ,  厚膜技術
準シソーラス用語： セラミック材料 ,  パッケージ ,  プリント配線板

タイトルに関連する用語 (3件)： 埋込 ,  多層 ,  セラミック