抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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高速中性子ビームを照射したSiをベースにした合金ダイオードのスイッチ時間に及ほす影響を考察した。半導体を金属と合金にする前に,前もって半導体物質を照射すると,転位密度が大きくなるかわりにダイオードの時定数が減少することがわかった