文献

J-GLOBAL ID：201602007322091453   整理番号：71A0246996

III-V族化合物半導体の気相成長

Vapor-phase growth of several III-V compound semiconductors.

著者 (3件)： TIETJEN J J ,  ENSTROM R E ,  RICHMAN D
資料名： RCA Rev (Radio Corp Am)  (RCA Review (Radio Corporation of America))
巻： 31  号： 4  ページ： 635-646  発行年： 1970年 
JST資料番号： D0503A  ISSN： 0033-6831  CODEN： RCARCI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaAs,GaP,GaAs_1-xP_x,InAs,InP,InAs_1-xP_x,GaSb,GaAs_1-xSb_x,GaN,Ga_1-xIn_xAs,Ga_1-xIn_xP,AlAs,AlP,AIN,Ga_1-xAl_xAsなどの気相成長技術をのべた。この技術の特徴は反応源にガスを用いることで,化学組成,均一性,結晶の完全性,不純物濃度と分布などの制御が改善される。これらの材料,成長技術のバラクタダイオード,エレクトロルミネセンスダイオード,注入レーザ,高温整流器,高温トランジスタ,輸送電子発振器および増幅器,光電変調器などのデバイスに対する応用をのべた;写図1表1参46

シソーラス用語： 化合物半導体 ,  可変容量ダイオード ,  気相 ,  気相成長
準シソーラス用語： III-V族 ,  III-V族化合物半導体 ,  エビタキシャル成長 ,  エビタキシャル成長(気相/III-V族化合物半導体) ,  エレクトロルミネセンスダイオード ,  エレクトロルミネセンスダイオード(気相成長) ,  化合物半導体(III-V族/気相成長) ,  可変容量ダイオード(気相成長) ,  気相成長(III-V族化合物半導体)

タイトルに関連する用語 (2件)： 化合物半導体 ,  気相成長