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J-GLOBAL ID：201602007413370622   整理番号：71A0048055

高強度可同調lnSbスピン反転ラマンレーザ

High-intensity tunable InSb spin-flip Raman laser.

著者 (6件)： AGGARWAL R L ,  LAX B ,  CHASE C E ,  PIDGEON C R ,  LIMBERT D ,  BROWN F
資料名： Appl Phys Lett  (Applied Physics Letters)
巻： 18  号： 9  ページ： 383-385  発行年： 1971年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： パルス高圧CO₂レーザ(10.6μ)でポンプしたn型InSb(ne=2×10¹⁶cm^-3)で,せん頭出力~1kWの誘導スピン反転ラマン散乱を観測,した。25-100kGの磁場で11.2-12,8μ域の同調ができる。しきい値強度は4×10⁴W/cm²である。強いストークス線(~1kw)で。数Wの出力をもち12-14.6μ域で同調可能な2次誘導ストークス線が励起される;写図3参12

シソーラス用語： Ramanレーザ
準シソーラス用語： InSb ,  InSbレーザ ,  スピン反転遷移 ,  誘導スピンフリップRaman散乱

タイトルに関連する用語 (4件)： 高強度 ,  同調 ,  スピン反転 ,  ラマンレーザ