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J-GLOBAL ID：201602007478105276   整理番号：73A0030208

シリコン基板上の金層の上の酸化シリコンの形成

Formation of silicon oxide over gold layers on silicon substrates.

著者 (3件)： HIRAKI A ,  LUGUJJO E ,  MAYER J W
資料名： J Appl Phys  (Journal of Applied Physics)
巻： 43  号： 9  ページ： 3643-3649  発行年： 1972年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単結晶シリコン基板上に金を蒸蒲し.比較的低温(100~300°C)の酸化ふん囲気中で加熱すると,酸化シリコン層が金層の上に直ちに形成されることを見出した。この低温酸化膜形成のメカニズムと制御因子を.2MeVのHe+イオンの後方散乱を用いて研究した。酸化層の厚さは均一でなく.その初期成長は時間の%乗に比例した。酸化性ふん囲気も基板の結晶方位も成長速度に影響した。金の量が酸化層の最終的な厚さを決定する要因であった。酸化層成長のメカニズムを説明するモデルを提起した;写図9参13

シソーラス用語： 後方散乱 ,  蒸着膜
準シソーラス用語： シリコン ,  ヘリウムイオン ,  酸化シリコン

タイトルに関連する用語 (3件)： シリコン基板 ,  金層 ,  酸化シリコン