文献
J-GLOBAL ID：201602007601173842 整理番号：62A0142593
電場効果トランジスタの熱雑音
Thermal noise in field-effect transistors.
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著者 (1件)：
Van Der ZIEL A
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資料名：
Proc IRE (Proceedings of the IRE)
Proc IRE について
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巻：
50
号：
8
ページ：
1808-1812
発行年：
1962年
JST資料番号：
D0378A
資料種別：
逐次刊行物 (A)
記事区分：
原著論文
発行国：
アメリカ合衆国 (USA)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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電場効果トランジスタの究極の雑音発生機構は伝導チャネルの熱雑音で,これは等価的ζ出力端子と並列ζある篭流電源〓〓〓で表わされる.この雑音等価電流の表現式を導びき,また等価雑音抵抗を与えた.ドレイン電圧が零の場合の雑音はドレインのコンダクタンスに乙る熱雑音できまり,バイアス電圧のかかった条件下ではゲート電圧が一定ならドレイン電圧に余り依存しない・一般には変調作用のため,ドレインコンダクタンスに相当する熱雑音自体よりも大きな値になる;図2参2
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