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J-GLOBAL ID：201602007602354590   整理番号：69A0221944

MOS素子における電荷ポンピング

Charge pumping in MOS devices.

著者 (2件)： BRUGLER J S ,  JESPERS P G A
資料名： IEEE Trans Electron Devic  (IRE Transactions on Electron Devices)
巻： 16  号： 3  ページ： 297-302  発行年： 1969年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MOSトランジスタに印加されるゲートパルスは,サプス.トレートへの電荷の流れを引きおこす。この効果を検討してMOSゲートコントロールダイオード構造における電荷ポンピング現象が明ちかとな.った。この理論について述べられており,注入された電荷が二緯類甲に区分されるとしている。一つはゲートの下のSi-Sio₂界面における表面準位をとおしてカップリングが行なわれ,他はブリーな反転.層電荷と再結合をしてサプストレートに移動する;写図11参10

準シソーラス用語： MOS ,  MOSトランジヌタ ,  電荷ポンピング現象 ,  電荷ポンピング現象(MOS)

タイトルに関連する用語 (2件)： MOS素子 ,  電荷ポンピング