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J-GLOBAL ID：201602007740952422   整理番号：71A0205348

酸化アルミニウムの半多孔質膜の高電圧陽極酸化による生成

Preparation of semiporous wafers of aluminum oxide by high voltage anodization.

著者 (3件)： LASSER H ,  ROBINSON G ,  ALMAULA B
資料名： Am Ceram Soc Bull  (American Ceramic Society Bulletin)
巻： 50  号： 2  ページ： 165-169  発行年： 1971年 
JST資料番号： A0366A  ISSN： 0002-7812  CODEN： ACSBA   資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 厚さ10mm.純度99%の市販アルミ板をしゅう酸浴を用いて300-500Vの高電圧で陽極酸化を行い,酸化アルミニウムフィルムを作った。電解浴および陽極の反応部分の冷却が重要な問題となるが,これには液化窒素の循環装置を用い反応中-4~+1°Cに保持した。酸化物のセル構造は電子顕微鏡観察によると理論的な形,大きさに近かった。また低電圧で行ったときと同じであった。一部それらと異妊のは不純物および電極の温度こう配によるものと考えられる。気孔率は陽極処理条件を選択することによって変化することができる;写図8表1参9

シソーラス用語： 酸化アルミニウム ,  多孔質 ,  膜 ,  陽極酸化
準シソーラス用語： 高電圧 ,  膜(酸化アルミニウム) ,  陽極酸化(高電圧)

タイトルに関連する用語 (4件)： 酸化アルミニウム ,  多孔質膜 ,  高電圧 ,  陽極酸化