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J-GLOBAL ID：201602007792125850   整理番号：71A0369154

スパッタリング効率のイオンエネルギーおよび入射角度依存性

The dependence of sputtering efficiency on ion energy and angle of incidence.

著者 (1件)： ANDERSEN H H
資料名： Radiat Eff  (Radiation Effects)
巻： 7  号： 3/4  ページ： 179-186  発行年： 1971年 
JST資料番号： A0224A  ISSN： 0033-7579  CODEN： RAEFBL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 多結晶形ターゲットのスパッタリング効率(ターゲットをとびだした衝突イオンのエネルギ-がスパッタリングする分と後方散乱される分の割合)の測定をエネルギー範囲を大きくして行なった。鉛および銅をターゲットとして80~1200keVのNe,Ar,Cu,Kr,XeおよびPbのイオンを照射したところ,スパッタリング効率はイオンのエネルギーが大きくなると減少することがわかり,この原因として,エネルギーによる散乱断面積の変化と電子的阻止の組合せを考えた。これらの結果は質量比,M₂/M₁,と減少エネルギー,ε,だけで表現し得る。さらに,スパッタリング効率とイオンの入射角(0~45°)の関係をターゲットとして銅,銀および鉛を用い,17種のイオンーターゲットの組合せで測定したところ,スパッタリング効率は入射角の増大とともに大きくなることがわかり,これをSigmundの簡単な理論式で表現した(松井正夫)

シソーラス用語： イオンビーム ,  エネルギー ,  ターゲット
準シソーラス用語： スバタリング

タイトルに関連する用語 (3件)： スパッタリング ,  イオンエネルギー ,  角度依存性