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J-GLOBAL ID：201602007811822975   整理番号：61A0007211

疑似真性半導体の光伝導度の電場効果による変調

Field-effect modulation of photoconductance in a quasiintrinsic semiconductor.

著者 (1件)： BOCKEMUEHL R R
資料名： J Appl Phys  (Journal of Applied Physics)
巻： 31  号： 12  ページ： 2255-2259  発行年： 1960年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA) 

抄録/ポイント： dark-insulating光伝導体の伝導度の電界効果による変調は電子,正孔の性質に強く依存する。空乏層中の電子-正孔対の発生および光伝導性電界効果型トランジスタの特性に影響を及ぼす平衡空間電荷密度の解析法を示す。導ぴかれた関係は観測される光伝導度の電界効果変調の光学的および周波数応答を説明し,疑似真性半導体中の正孔の移動度や他の担体の性質を計算する方法を与える

タイトルに関連する用語 (4件)： 真性半導体 ,  光伝導度 ,  電場効果 ,  変調