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J-GLOBAL ID：201602007838435990   整理番号：62A0008214

横およびせん断圧電抵抗効果を用いた半導性応力変換器

Semiconducting stress transducers utilizing the transverse and shear piezoresistance effects.

著者 (2件)： PFANN W G ,  THURSTON R N
資料名： J Appl Phys  (Journal of Applied Physics)
巻： 32  号： 10  ページ： 2008-2019  発行年： 1961年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： アメリカ合衆国 (USA) 

抄録/ポイント： 標記の各種変換器の原理を概観する.これらの共通点は横およびせん断圧電抵抗効果の利用である.これらの装置の中の一種類は長方形の薄板の形をしたゲージからできており,このゲージに試料を結びつける.この抵抗変化をゲージの主応力の簡単な関数として表わす.この種類の中で二個の特殊なゲージについて詳述する.一個の方の抵抗変化は二軸方向の主応力の和に比例し,他の応力の縦成分めみに比例する.これらのゲージはGe,Siで説明され,他の半導体にも拡張できる

タイトルに関連する用語 (5件)： せん断 ,  圧電抵抗 ,  半導性 ,  応力 ,  変換器