抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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電界効果トランジスタの帰還容量を小さくするために分離ゲート構造にし,これに付随するゲート抵抗増大による高周波特性の老化を避けるために,微小なFETを並列に接続したオーバレイ型構造のシリコンNチャネルFETを開発した。このFETの基礎データを示し,その概要を紹介した;写図21表2参5