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J-GLOBAL ID：201602007861093117   整理番号：72A0368941

500KeV-1MeV電子による表面障壁型シリコン検出器の損傷

Silicon surface barrier detectors irradiated by 500keV-1MeV electrons.

著者 (3件)： NAKAMOTO S ,  AOKIT ,  KAWABATA K
資料名： 中部工業大学紀要  (中部工業大学紀要 A)
巻： 7  ページ： 127-135  発行年： 1971年 
JST資料番号： S0127A  ISSN： 0009-6202  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 200-1000ΩCm,りん添加n型シリコン表面障壁型検出器(7×7mm²)に電子〓ァン・ド・グラーフより500-1000KeV電子を10¹⁴~10¹⁸cm^-2照射し,検出器のPo-dスペクトル,V-I,V-C特性変化を調べた。スペクトルは10¹⁴cm^-2から劣化が始まりダブルピークが見られる。これはバイアス電圧,アンプ時定数により変化する。もれ電流は線量に対して単調な変化でない。容量は単調に減少し,5×10¹⁶cm^-2で飽和しバイアスに依存しない一定値を示す。これらから電子損傷は電子トラップを生ずるアクセプタ型である。低比抵抗ほど損傷の起りにくいことも示している(著者)

シソーラス用語： けい素 ,  電気的性質 ,  電子ビーム ,  表面障壁型検出器 ,  放射線効果

タイトルに関連する用語 (4件)： 電子 ,  障壁 ,  シリコン検出器 ,  損傷