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J-GLOBAL ID：201602007878886374   整理番号：71A0045667

A^IIB^III₂C^IV₄半導体化合物のVan Vleck常磁性に及ぼす共有結合の効果

Covalent bonding effect on Van Vleck paramagnetism in A^IIB₂^IIIC₄^VI semiconductor compounds.

著者 (4件)： MANCA P ,  MUNTONI C ,  RAGA F ,  SPIGA A
資料名： Phys Status Solidi B  (Physica Status Solidi)
巻： 44  号： 1  ページ： 51-57  発行年： 1971年 
JST資料番号： C0599A  ISSN： 0370-1972  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 欠陥を含む二三のA’,B’lCll四面体化合物の帯磁率を室温で測定した。LangevinおよびVanVleckの帯磁率成分を化合物の原子バラメータおよび結合パラメータを用いてそれぞれ記述した以前の理論的考察の線に沿って実験データを解析した。A:B8-:の正常な四面体化合物の実験データとこの実験データの比較は,規格化因子として各公式に結合の数を導入することによって行うことが出来る;写図5表1参13

シソーラス用語： 化合物半導体
準シソーラス用語： Van Vleck磁化率 ,  共有結合

タイトルに関連する用語 (3件)： VAN ,  常磁性 ,  共有結合