{{ $t("message.ADVERTISEMENT") }}
{{ $t("message.AD_EXPIRE_DATE") }}{{ad01_expire_date}}
{{ $t("message.ADVERTISEMENT") }}
{{ $t("message.AD_EXPIRE_DATE") }}{{ad02_expire_date}}
文献
J-GLOBAL ID:201602007891311763   整理番号:68A0220660

液相成長法によるGaAsレーザダイオードの結晶方向の影響

On the influence of crystal orientation on solutiongrown GaAs laser diodes
著者 (2件):
資料名:
巻:号:ページ: 201-204  発行年: 1968年
JST資料番号: H0432A  ISSN: 0018-9197  CODEN: IEJQA7  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA) 
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
液相成長でGaAsp-n接合を製作するのにウェハーの結晶軸の撰定に3つの方向がある。(100)とガリウム面の(111)とAs面の(111)である。この優劣を定めるには利得αと損失βを測定して決定した。αとβの測定は長さの異るレーザダイオードのしきい値電流と長さの関係により求めた。最低と最高のαはGa面とAs面との(111)面で得られた。損失βの最小の面は(100)でありまた(111)の面でのβはGa,As,面でも同じであった;写図6参4
タイトルに関連する用語 (4件):
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです

前のページに戻る