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J-GLOBAL ID：201602007903766648   整理番号：72A0029151

CdSe膜の再結晶

Recrystallization of cadmium selenide films.

著者 (3件)： GLOEDE W ,  LIPPM ANN H ,  MUTZE S
資料名： Phys Status Solidi A  (Physica Status Solidi. A. Applied Research)
巻： 6  号： 2  ページ： K69-K71, 702(2-4)  発行年： 1971年 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 0031-8965  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 石英板およびけい酸ほう素板状に0.15-4μmの厚さに蒸着して作った多結晶CdSe薄膜をCd,Se,0および真空中で焼なましした時の焼なまし効果について調べた。焼なましふん囲気に関係なく(0002)へ伸びた構造が消える。またSe,O中で焼なまししたものは結晶粒が大きく成長する。ホール移動度は膜厚により300-600面/Vsecの幅がある;写図4参5

シソーラス用語： 再結晶 ,  薄膜
準シソーラス用語： CdSe

タイトルに関連する用語 (2件)： CdSe ,  再結晶