文献

J-GLOBAL ID：201602007906011923   整理番号：71A0244879

半導体中の異常拡散一定量的解析

Anomalous diffusion in semiconductors - a quantitative analysis.

著者 (1件)： THAI N D
資料名： Solid-State Electron  (Solid-State Electronics)
巻： 13  号： 2  ページ： 165-172  発行年： 1970年 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si中の不純物の熱拡散による分布はふつう補誤差関数によって表わされる。 不純物の濃度が高くなって,Siと不純物との原子半径の差によるSi格子のひずみが大きくなると,やがてひずみのエネルギーが解放されて転位が生ヒ.この転位は結晶格子中を移動する間に空格子点を多数発生させるので.置換型の不純物原子の拡散係数は高められる。 このような異常拡散は.不純物濃度が一定値以上の場合に顕著になり.分布の形は補誤差関係にのらなくなる。 転位を含まないSlの場合,この一定値は,3×10¹⁹cm^-3になる;写図5参34

シソーラス用語： 異常拡散 ,  半導体 ,  不純物拡散
準シソーラス用語： 異常拡散(半導体) ,  不純物拡散(半導体)

タイトルに関連する用語 (2件)： 異常拡散 ,  定量的解析