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J-GLOBAL ID：201602007921070413   整理番号：72A0045126

不純物をドープしたHgCr₂Se₄の磁気的電気的性質

著者 (3件)： MINEMATSU K ,  MIYATANI K ,  TAKAHASHI T
資料名： J Phys Soc Jpn  (Journal of the Physical Society of Japan)
巻： 31  号： 1  ページ： 123-128  発行年： 1971年 
JST資料番号： G0509A  ISSN： 0031-9015  CODEN： JUPSA   資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Hg・,Ag,Cr,Se,とHg,.Jn,Cr,Se,のホットプレスした多結晶試料の電気抵抗,Ha11効果および磁気抵抗効果を測定した。Agをドープした試料はドープ量を増すとキュリー点が増すがlnをドープしたものは逆になった。Agをドープした試料は抵抗,Ha11係数.負の磁気抵抗が皆大きいがlnの場合全て小さく磁気抵抗効果は正である。この遼いはキャリア濃度のちがいにより説明できる;写図5表1参15

シソーラス用語： Hall効果 ,  磁気抵抗 ,  導電率
準シソーラス用語： HgCr₂Se₄ ,  強磁性半導体 ,  電気抵抗率

タイトルに関連する用語 (4件)： 不純物 ,  ドープ ,  磁気 ,  電気的性質