文献

J-GLOBAL ID：201602007922138143   整理番号：64A0022090

GaAs中の格子欠陥の実験的研究

Behavior of lattice defects in GaAs.

著者 (3件)： BLANC J ,  BUBE R H ,  WEISBERG L R
資料名： J Phys Chem Solids  (Physics and Chemistry of Solid)
巻： 25  号： 2  ページ： 225-240  発行年： 1964年 
JST資料番号： C0202A  ISSN： 0022-3697  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR) 

抄録/ポイント： 450。~800唱で銅を加えまたは加えずにGaAs単結晶を焼なましし焼なまし時間の異る試料の熱励起電流,暗伝導度,密度,熱伝導度を測定した。焼なましにより非常に多くのトラプブ(>1019cm-2)が導入されるが,格子欠陥(ドナーおよびアクセプタ)と考えられる。イズソ化エネルギーは対になっているとき0.2eV,孤立しているときは0.5eV位である。単結晶を水平プリッジマソ法でつくる力,浮揚ゾーソ法でつくる力により焼なまし性は畫的に異したがつて格子欠陥は試料作製の偶然的な産物と考えられる。銅は欠陥の焼なましに触媒としてはたらく

タイトルに関連する用語 (3件)： GaAs ,  格子欠陥 ,  実験的研究