文献
J-GLOBAL ID：201602007947772319 整理番号：66A0199000
半導体物質上のマイクロストリップ伝送線路
Microstrip transmission on semiconductor dielectrics.
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著者 (1件)：
HYLTIN T M
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資料名：
IEEE Trans Microw Theory (IRE Transactions on Microwave Theory and Techniques)
IEEE Trans Microw Theory について
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巻：
13
号：
6
ページ：
777-781
発行年：
1965年
JST資料番号：
C0229A
ISSN：
0018-9480
CODEN：
IETMAB
資料種別：
逐次刊行物 (A)
記事区分：
原著論文
発行国：
アメリカ合衆国 (USA)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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同一基板上に半導体素子を含む,マイクロ波用複合回路素子の要求が増大しつつあり,製作上からも有望視されている。半導体物質と製作過程上の問題を両立させるために,誘電体材質は,SiO2のような誘電体のフィルムかまたは,半導体物質そのものに制約される比抵抗が1000Ωcm以上のGaAsあるいはSiのぶうな材質では,同一基板上で各素子間の結合を行なわせる際の損失は充分小さく,極端に高Qを必要としない方向性結合器あるいはハイブリッドのような素子に対しても充分使用できるものと考えられる;写2図6参9
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