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J-GLOBAL ID：201602007952658834   整理番号：71A0035183

無秩序半導体中の低周波電磁波の吸収の理論

On the theory of absorbtion of low frequency electromagnetic waves in disordered semiconductors.

著者 (1件)： BONCH-BRUEVICH V L
資料名： Mater Res Bull  (Materials Research Bulletin)
巻： 5  号： 8  ページ： 555-565  発行年： 1970年 
JST資料番号： B0954A  ISSN： 0025-5408  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 無秩序系中の局在化した状態の間の電子の遷移による導電率の実部分の周波数依存性を.Dysonの統計理論を用いて計算。とくに低周波領域,h/2ω<<E(Eは.状態密度がかなり変化する領域の特性エネルギー間隔)について検討。この系を取扱うのには一粒子近似で十分である。“Rigid”な物質中での導電率ではω→0になると〓であるが,格子緩和を考えると.〓でT=0でさえも〓は0でなり;参12

シソーラス用語： 状態密度 ,  電磁波吸収 ,  導電率 ,  半導体 ,  理論
準シソーラス用語： 状態密度(無秩序半導体) ,  導電率(無秩序半導体/理論) ,  半導体(無秩序/電磁波吸収) ,  無秩序 ,  無秩序半導体

タイトルに関連する用語 (3件)： 低周波 ,  電磁波 ,  理論