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J-GLOBAL ID：201602007967111637   整理番号：70A0253975

薄膜スイッチング素子

Тонкопленочный коммутационный алемент.

著者 (2件)： КОНЯЕВ С И ,  КЛЯУС Х И
資料名： Radiotekh Ehlektron  (Radiotekhnika i Ehlektronika)
巻： 15  号： 5  ページ： 1112-1113  発行年： 1970年 
JST資料番号： R0090A  ISSN： 0033-8494  CODEN： RAELA   資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 旧ソビエト連邦 (SUN)  言語： ロシア語 (RU)

抄録/ポイント： 絶縁基板上に真空蒸着して作った金属-誘電体-金属薄膜系では,順方向にS形の負性抵抗部分があり,逆方向にN形の負性抵抗部分があるスイッチング特性が得られる。本文では,一方の電極にIn膜,誘電体にSiO_x,Se,他方の電極にAl膜を用いた薄膜構造の特性を実験的に調べた結果を示す。ターンオン電圧約30Vで,低導電状態では,電流は電圧とともに直線的に増加し,ターンオン時約10^-8A,抵抗約10⁹Ω,高導電状態では,抵抗50Ωである。順方向最大許容電流は約200mA,ターンオン時間10^-6~10^-4s,ターンオフ時間10^-5~10^-3sである;写図1参7

準シソーラス用語： In-SiO_x・Se-Al ,  薄膜スイッチング素子 ,  薄膜スイッチング素子(In-SiO_x・Se-Al)

タイトルに関連する用語 (2件)： 薄膜 ,  スイッチング素子