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J-GLOBAL ID：201602007977009431   整理番号：72A0257533

GaAsアバランシェダィオードの進歩

Progress in gallium arsenide avalanche diodes.

著者 (2件)： KIM C K ,  MATTHEI W G
資料名： IEEE Int Conv Dig  (IEEE International Convention Digest)
号： Digest  ページ： 284-285  発行年： 1971年 
JST資料番号： C0216B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 予稿  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： IMPATTダイオードの’70年における進歩を述べている。それは,ショットキーバリアの上に直接に熱放散板をプレーティングして,熱放散を改善したことによる。その結果,3.9GHzCWで,4,1Wの出力が効率9%で,また5GHzCWで3,05Wの出力が効率101%で得られた。さらにXバンドでは,9.8GHzCWで1.1Wの出力が効率13~15%の範囲で得られ.最大16.9%のものが得られた。図として熱抵抗と出力の関係.効率の入力依存性,素子の構造,出力の周波数依存性が示されている。また.’67年以来のIMPATTの発達を示す表を掲載;写図4表1参6

シソーラス用語： IMPATTダイオード ,  アバランシェダイオード ,  ひ化ガリウム ,  熱抵抗

タイトルに関連する用語 (1件)： GaAs