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文献
J-GLOBAL ID:201602008008869497   整理番号:68A0208810

GaAs 絶縁ゲート電界効果トランジスタ

Gallium arsenide insulated gate field effect transistors.
著者 (2件):
資料名:
ページ: 219-227  発行年: 1966年
JST資料番号: Z0000A  資料種別: 不明
記事区分: 予稿  発行国: その他 (ZZZ) 
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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平面チャンネルのMOSトランジスタを,ゲート電極の絶縁に,SiO2の高温蒸着(Si(OC2H5)4使用)か,SiO2の低温蒸着(SiH4使用)を行なって作った。相互コンダクタンスは4200μmho(120c/s,ドレイン電流20mA),電力利得は100MHzで9.5dB。窒化けい素膜についての研究結果も報告する;図9表1参8
タイトルに関連する用語 (2件):
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