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J-GLOBAL ID：201602008038177000   整理番号：71A0039352

Geおよびせん亜鉛鉱型半導体の共鳴ラマン散乱とその温度変化

Resonant Raman scattering in germanium and zinc blende-type semiconductors temperature dependence.

著者 (3件)： RENUCCI J B ,  RENUCCI M A ,  CARDONA M
資料名： Solid State Commun  (Solid State Communications)
巻： 9  号： 14  ページ： 1235-1238  発行年： 1971年 
JST資料番号： H0499A  ISSN： 0038-1098  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InAs,Ge。Si。合金のE,ギャップ付近でラマン散乱の共鳴を77,300,594Kで測定した。吸収と透過から決めたE,ギャップと異なり・散乱断面積のスペクトル依存性のピークはほとんど温度シフトを示さず,低温(~77K)の吸収ピーク・エネルギーの付近にとどまる;写図2参16

シソーラス用語： ゲルマニウム
準シソーラス用語： 1nAs ,  Ge-Si合金 ,  共鳴Raman散乱

タイトルに関連する用語 (4件)： Ge ,  せん亜鉛鉱 ,  共鳴ラマン散乱 ,  温度変化