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J-GLOBAL ID：201602008043224830 整理番号：58A0040383
けい素における拡散をキャリヤー・ガスで制御
Diffusion Control in Silicon by Carrier Gas Composition.
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著者 (2件)：
FROSCH C J
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資料名：
J Electrochem Soc (Journal of the Electrochemical Society)
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巻：
105
号：
12
ページ：
695-699
発行年：
1958年
JST資料番号：
C0285A
ISSN：
0013-4651
CODEN：
JESOAN
資料種別：
逐次刊行物 (A)
発行国：
アメリカ合衆国 (USA)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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拡散過程でキャリヤー・ガス組域を変化させ,けい素におけるP-nやn-p-n拡散構造の製造を制御する単純な加熱方法,さらに本方法によれば,異なった組域のキャリヤー・ガス甲で与えられた温度ではある種不純物(すなわちGa
2
O
3
やSb
2
O
4
)の蒸発速度が大きな影響をもつ
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