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J-GLOBAL ID：201602008047501871   整理番号：72A0037296

P形CdGeAs₂結晶の赤外光吸収

Поглощение в кристаллах p-CdGeAs₂ в инфракрасной области спектра.

著者 (2件)： МЛМЕДОВ Б Х ,  ОСМАНОВ Э О
資料名： Fiz Tekh Poluprovo  (Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov)
巻： 5  号： 7  ページ： 1268-1270  発行年： 1971年 
JST資料番号： R0267A  ISSN： 0015-3222  CODEN： ETPPA   資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 旧ソビエト連邦 (SUN)  言語： ロシア語 (RU)

抄録/ポイント： 電子濃度2×1017~4×1018。正孔濃度5×101〓2×10,6cm’3のCdGeAs~結晶の吸収スペクトルを0.1-0.5eVのエネルギー域ぼ=100-410Kで測定した。P形結晶では,ドルーデ吸収以外に.0.12と0.22eVに極大を持つ吸収帯が観測された。前者は不純物吸収,後者は軽い正孔帯と重い正孔帯の間の帯問吸収である;写図4表1参5

シソーラス用語： 吸収スペクトル
準シソーラス用語： CdGeAS₂ ,  バンド間遷移 ,  赤外吸収

タイトルに関連する用語 (2件)： 結晶 ,  赤外光吸収