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J-GLOBAL ID：201602008047822503 整理番号：65A0011242
半導体とプラズマの過渡的導電率
Transient conductivity of some semiconductors and plasmas.
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著者 (1件)：
FANG P H
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資料名：
Appl Sci Res Sect B (Applied Scientific Research. Section B)
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巻：
11
号：
3/4
ページ：
239-246
発行年：
1964年
JST資料番号：
B0001A
CODEN：
ASRBA
資料種別：
逐次刊行物 (A)
記事区分：
原著論文
発行国：
オランダ (NLD)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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半導体およびプラズマの過渡的導電率の減衰関数を数値的に計算。まず過渡的導電率積分を与える。緩和時間(τ=a
p
ε-P)とする。ここでεはエネルギーパラメータPは物理的対応関係を持つ定数である。次に,緩和時間の分布関数g(τ)を導入し,そのラプラス変換を計算する。この減衰関数A(θ)を,Pが0,1,2,〓,-1の特別な場合に対して計算する。数値計算の結果はθ>10
-1
の場合に,Pによる1ogA(θ)の差があることを示す。大きな差はθ>1に対してあらわれる;図1表1参11
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