抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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簡単な解析を行い,トランジスタの動作限界が積EVs/2π(E:半導体の絶縁破壊電圧,Vs:少数キャリアの飽和ドリフト速度)で物理的に定まることを示した。この積は,信号を処理する電荷を励起するための半導体の最大能力を示し,シリコンでは2×10
11V/S程度の値である。トランジスタの動作周波数が高ければ,その周波数の時間周期は短く,電荷キャリアへ与えられるエネルギは少量であり,従って,電力も電力利得も比較的低い。逆も成立つ。これを電力損失に無関係に周波数と電力の関係が物理的に定まることを示す。この関係はトランジスタの品種間の比較に役立つ;図4表2参11