文献

J-GLOBAL ID：201602008256786166   整理番号：72A0029300

酸素-アルゴン混合ガス中でスパッタしたタンタル膜に対する基板バイアスの影響

Effect of substrate bias on tantalum films sputtered in an oxygen-argon mixture.

著者 (2件)： WESTWOOD W D ,  WILCOX P S
資料名： J Appl Phys  (Journal of Applied Physics)
巻： 42  号： 10  ページ： 4055-4062  発行年： 1971年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： バイアスしたガラスおよびセラミック基板上に,直流スパッタリング法によリタンタル膜を成長させた。基板のバイアスがゼロの時には,膜の抵抗率は約800マイクロ・オーム・センチであったが,基板に正・負のバイアスを印加すると抵抗率は減少した。+100V,-100Vの印加で200マイクロ・オーム・センチ,-200Vの印加で50マイクロ・オーム・センチに低下した。膜中の酸素量はバイアがゼロのとき3.5原子%で.バイアスをかけると.10原子%に減少した。抵抗率と酸素量の減少を2つの効果の結合で説明した;写図6表3参28

シソーラス用語： タンタル ,  電気抵抗
準シソーラス用語： スバッタ ,  スバッタ膜 ,  酸素含有量

タイトルに関連する用語 (6件)： 酸素 ,  アルゴン ,  混合ガス ,  スパッタ ,  タンタル膜 ,  基板バイアス