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J-GLOBAL ID：201602008281910424   整理番号：65A0238265

高速中性子照射によるゲルマニウム鋭角型ダイオードの表面電流の証拠

Zum Nachweis von Oberflaechens troemen in Germaniun-Spitzendioden durch Bestrahlung mit schenellen Neutronen.

著者 (1件)： ZANDER K
資料名： Z Angew Phys  (Zeitschrift fuer Angewandte Physik)
巻： 17  号： 6  ページ： 422-424  発行年： 1964年 
JST資料番号： E0428A  ISSN： 0044-2283  CODEN： ZAPHA   資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU) 

抄録/ポイント： ダイオードのN形基板領域は,高遠中性子照射により漸次P型に変る.そのさい幾何学的な関係,縁附近の逆転層の厚さ,空間電荷分布は変化しない.これらの数値的な関係について述べる.照射中第一次近似で表面電荷密度が一定であるとすると,N形基板のドープ量変化によって逆転層の厚さが減少することになる;図4参8

タイトルに関連する用語 (6件)： 中性子照射 ,  ゲルマニウム ,  鋭角 ,  ダイオード ,  表面電流 ,  証拠