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文献
J-GLOBAL ID:201602008342304271   整理番号:68A0018028

II-V族化合物のエピタクシー成長

Epitaxial growth of IIVI compounds
著者 (1件):
資料名:
巻:号:ページ: 85-90  発行年: 1968年
JST資料番号: B0942A  ISSN: 0022-0248  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD) 
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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CdSとZnS基板へのCdS,ZnS,HgSエピタクシー成長を調べた。次の2種類の成長島構造がみられた。膜の付着中には円型の島がつくられ,再昇華した基板物質の付着により面づけされた島がつくられた。薄膜に転位は観測されなかった。配向関係を表にかかげ,成長機構と配向の検討を記した。この文献は,版権の関係で複写依頼には応じられません;写2図1表2参10
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