抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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本文はマイクロ波超音波の変換器をRFスパッタリングによりZnOの薄膜で製造した報告。サファイア基板上に半波長の金の電極を蒸着し,その上にZnOを1μm/hour以上でスパッタした。厚さ7μmのものが得られ,電気音響結合係数0.20のものが得られた。 そう入損は24dBであり実用的なデバイスがこの変換器を用いて構成できる;写図5参12