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J-GLOBAL ID：201602008386078970   整理番号：72A0238301

メムリスタ見失なわれている回路素子

Memristor - The missing circuit element.

著者 (1件)： CHUA L O
資料名： IEEE Trans Circuit Theory  (IRE Transactions on Circuit Theory)
巻： 18  号： 5  ページ： 507-519  発行年： 1971年 
JST資料番号： C0226A  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 従来の回路素子(抵抗,インダクタンス,コンデンサ)に加えて,新しい素子が存在することを理論的あるいは物理的に述べた。この素子はメムリスタと呼ばれる。その特性は電荷q(t)≡∫(t)dτと磁束鎖交〓(t)≡∫v(t)dτとの関係により説明される。さらにMaxwellの方程式を準定常展開して.上記の関係と電磁界的に述べた。メムリスタの多くの回路特性を導き.従来の素子特性とは異った特別な特性があり,しかもそれは従来の素子では実現できない応用が考えられる。メムリスタの電圧特性を用いて回路を構成し,それについて解析し興味ある結果を得た;写図9表1参21

シソーラス用語： 回路理論 ,  抵抗器
準シソーラス用語： 記憶

タイトルに関連する用語 (2件)： メムリスタ ,  回路素子