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J-GLOBAL ID：201602008427280070   整理番号：71A0044425

緩和領域中の半導体PN接合に対する担体輸送とポテンシャル分布

Carrier transport and potential distributions for a semiconductor p-n junction in the relaxation regime.

著者 (3件)： QUEISSER H J ,  CASEY H C Jr ,  ROOSBROECK W
資料名： Phys Rev Lett  (Physical Review Letters)
巻： 26  号： 10  ページ： 551-554  発行年： 1971年 
JST資料番号： H0070A  ISSN： 0031-9007  CODEN： PRLTAO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 実験的な電流一電圧特性とポテンシャル分布を誘電緩和時間τ,が担体寿命τ。を越える高抵抗GaAs中のPN接合に対して示した。τ,〉τ。の条件は新しい”緩和領域”を定義し,これに対する理論はτ,《τ。の通常の半導体物理の良く知られた理想整流器のそれとは全く異なる振舞いを示す。予期された電界分布と線型.準線型電流一電圧関係が観測された。これらの結果は詳細に理論を確証した;写図2参13

シソーラス用語： PN接合 ,  半導体
準シソーラス用語： キャリア輸送 ,  ポテンシャル分布 ,  緩和領域 ,  電流-電圧特性

タイトルに関連する用語 (5件)： 緩和 ,  PN接合 ,  担体 ,  輸送 ,  ポテンシャル分布