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J-GLOBAL ID：201602008494660812   整理番号：72A0256298

MOS/LSI製品の設計による調製

Control MOS/LSI yield by design.

著者 (1件)： PHELPS M
資料名： 不明
巻： 16  号： 20  ページ： 21-27  発行年： 1971年 
JST資料番号： Z0000A  資料種別： 不明
記事区分： 文献レビュー  発行国： その他 (ZZZ)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 機器のシステム設計にMOS/LSIを導入する場合に注意すべき点を詳述した。MOS/LSI開発の一般的経過は,1)論理設計,2)トポロジー的設計,3)製造用マスクの構成,4)ウェーバの試作,5)回路の組立,6)回路試験の順であるが,2)の場合に注意すべき事項として,適当な雑音余裕を与えること,容量型分圧回路の設計に注意すること,4入力以上のNANDゲートの使用を避けること,スタティックロジックよりもダイナミックロジックを使用することを示した。また2)の場合にはCADが大変有効であるが,密な梼成やピンホールを避けること,ラテラルのPNP動作を少なくすることなどを説明した;写図4

シソーラス用語： CAD ,  LSI ,  回路設計
準シソーラス用語： MOS

タイトルに関連する用語 (4件)： MOS ,  LSI ,  設計 ,  調製