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J-GLOBAL ID：201602008497818743   整理番号：71A0124920

一重項→三重項遷移の電子励起に対する微分断面積の角度依存性

Angular dependence of differential cross sections for electron excitation of singlet→itriplet transitions.

著者 (2件)： STEELHAMMER J C ,  LIPSKY S
資料名： J Chem Phys  (Journal of Chemical Physics)
巻： 53  号： 4  ページ： 1445-1454  発行年： 1970年 
JST資料番号： C0275A  ISSN： 0021-9606  CODEN： JCPSA6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ヘリウムの1¹S→2³S遷移に対する電子衝撃の微分断面積の角度依存性を計算し,以前に正しい角度分布(前方に異常ピーク出現)を予言できなかったのはコアの寄与を無視したことによることを明らかにした。この効果を入れれば,ごく簡単な近似でも,しきい値40eV以内の電子エネルギーに対して,この遷移の角度依存性を正しく予言できた。水素分子のS→T遷移について,散乱角0以外でもピークがあるのは分子の回析の効果のためであり,Ochkurがこのピークをうまく説明できたのは,単にコアの項がこの場合小さかったためであり,一般的議論とはならない。H₂の高いS→T遷移に対する断面積の角度依存性とコアの寄与の程度は,分離した原子の状態に強く依存;写図7参28

シソーラス用語： ヘリウム ,  水素 ,  電子照射 ,  電子励起 ,  非弾性散乱
準シソーラス用語： S→T ,  S→T励起 ,  S→T励起断面積 ,  ヘリウム(電子衝撃/S→T励起) ,  角度依存性 ,  水素(電子衝撃/S→T励起) ,  電子衝撃 ,  電子衝撃(S→T励起断面積/角度依存性) ,  電子励起(S→T/電子衝撃) ,  非弾性散乱(S→T励起/電子衝撃)

タイトルに関連する用語 (6件)： 一重項 ,  三重項 ,  遷移 ,  電子励起 ,  微分断面積 ,  角度依存性