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文献
J-GLOBAL ID:201602008517969620   整理番号:60A0098382

半導体の今後の応用

Applications futures des semi-conducteurs.
著者 (1件):
資料名:
巻:号:ページ: 103-105  発行年: 1960年
JST資料番号: D0521A  CODEN: RVUEA   資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 予稿  発行国: ベルギー (BEL) 
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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P.Aigra↓n教授の講演から要約されたもの.一般の半導体と比較して,エサキダイオードの概念とその特性,原理を説明し,応用を検討する,PN接合の両側の濃度を1019以上としてその順方向で負の抵抗特性をもっている,超高周波まで使用できる,また高温に耐える半導体としての金属酸化物や,ZnOなどについても論じている,また光効果の応用についてもふれた
タイトルに関連する用語 (1件):
タイトルに関連する用語
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