抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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中性子照射ニッケルと未照射ニッケルを使用し,アセトンの水素化における触媒活性,焼鈍法による触媒活性と活性点の関係を検討.未照射触媒は110~200°C間焼鈍によりその活性の約70%を失う.この触媒を600°Cで焼鈍し中性子線を照射すると一度消失した活性の大部分が回復するが,照射触媒を110~200°C間で焼鈍すると照射で付与された活性のほとんどがなくなる.110~200°C間の焼鈍で活性が低下するのは活性点がこの温度域で消失するからと考え,この活性点は中性子照射で生じた格子欠陥であると推論:参7