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文献
J-GLOBAL ID:201602008567878528   整理番号:58A0060072

半導体開閉素子

Semiconductor Switching Devices.
資料名:
巻: 35  号:ページ: 235-236  発行年: 1958年
JST資料番号: B0450A  資料種別: 逐次刊行物 (A)
発行国: イギリス (GBR) 
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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Thyristor,p-n-p-mトランジスタ,p-n-p-nトランジスタの特性などの簡単な紹介。例えばthyris-torは閉路時間50~100mμsec,開路時間100mμ-sec,閉路パルスエネルギ10-4erg,開路バルエネルギ0.1erg,閉路時電圧降下100mAで0.5V

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