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J-GLOBAL ID：201602008567878528 整理番号：58A0060072
半導体開閉素子
Semiconductor Switching Devices.
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資料名：
Electron Radio Eng (Electronic and Radio Engineer)
Electron Radio Eng について
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巻：
35
号：
6
ページ：
235-236
発行年：
1958年
JST資料番号：
B0450A
資料種別：
逐次刊行物 (A)
発行国：
イギリス (GBR)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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Thyristor,p-n-p-mトランジスタ,p-n-p-nトランジスタの特性などの簡単な紹介。例えばthyris-torは閉路時間50~100mμsec,開路時間100mμ-sec,閉路パルスエネルギ10
-4
erg,開路バルエネルギ0.1erg,閉路時電圧降下100mAで0.5V
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