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文献
J-GLOBAL ID：201602008571310277
整理番号：58A0061057
三極接合形トランジスタの葡造依存往とその利得帯戎積
Structure-Determined Gain-Band Product of Junction Triode Transistors.
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EARLY J M
EARLY J M について
資料名：
Proc IRE
(Proceedings of the IRE)
Proc IRE について
巻： 46 号： 12 ページ： 1924-1927 発行年： 1958年
JST資料番号： D0378A 資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： アメリカ合衆国 (USA)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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三極接合形トランジスタの周波数限界を,理論および実験の両面から,利得帯域積Kの,装置の構造および動作バイアスへの依存性を通して研究した.直線形:のニミッタと二つのベース電極をもっmesa型トランジスタでは K=7.5×10c/s c/s (sはcm単位で測つたしま状エミッタの幅)とな⊃,これはフィールド効果トランジスタや相似型より大きい値で,その他の点からも考えて雌より高周波まで希望がもてる
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タイトルに関連する用語 (3件)：
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J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです
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接合形トランジスタ
, 接合形トランジスタ について
利得
, 利得 について
積
積 について
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