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文献
J-GLOBAL ID:201602008571310277   整理番号:58A0061057

三極接合形トランジスタの葡造依存往とその利得帯戎積

Structure-Determined Gain-Band Product of Junction Triode Transistors.
著者 (1件):
資料名:
巻: 46  号: 12  ページ: 1924-1927  発行年: 1958年 
JST資料番号: D0378A  資料種別: 逐次刊行物 (A)
発行国: アメリカ合衆国 (USA) 
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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三極接合形トランジスタの周波数限界を,理論および実験の両面から,利得帯域積Kの,装置の構造および動作バイアスへの依存性を通して研究した.直線形:のニミッタと二つのベース電極をもっmesa型トランジスタでは K=7.5×10c/s c/s (sはcm単位で測つたしま状エミッタの幅)とな⊃,これはフィールド効果トランジスタや相似型より大きい値で,その他の点からも考えて雌より高周波まで希望がもてる
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