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J-GLOBAL ID：201602008628673177   整理番号：74A0245436

GaAs Schottkyゲート電界効果トランジスタを用いたマイクロ波増幅器の設計と特性

Design and performance of microwave amplifiers with GaAs Schottky-gate field-effect transistors.

著者 (2件)： LIECHTI C A ,  TILLMAN R L
資料名： IEEE Trans Microw Theory  (IRE Transactions on Microwave Theory and Techniques)
巻： 22  号： 5  ページ： 510-517  発行年： 1974年 
JST資料番号： C0229A  ISSN： 0018-9480  CODEN： IETMAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaAs絶縁基板上に濃度1×10¹⁷ドナー/cm³で厚さ0.2μmのエビ層を用いたゲート長1μm,幅500μmで,Au-Geによるオーム接触のゲートソースよりなるf_max=50GHzのGaAs Schottkyゲート電界効果トランジスタを用いて,X帯の増幅器を設計し,8-12GHzで利得20±1.3dB,雑音指数が5.5dB(最大6,9dB)の特性を得ている。1dB利得コンプレッションは+13dBmで,第3次混変調は+26dBmであった。入出力VSWRは2.5以下である。雑音を低くするために雑音パラメータを用いて設計している;写図13参13

シソーラス用語： FET ,  ひ化ガリウム ,  マイクロ波 ,  回路設計 ,  増幅器

タイトルに関連する用語 (4件)： GaAs ,  Schottkyゲート電界効果トランジスタ ,  マイクロ波増幅器 ,  設計