抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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液相エピタキシャル過程により成長させたn-GaAsの高い純度は,放射線検出用のこの複合半導体の評価にとってつこうがよい。バンド間隔が広く,原子番号が大きいので,室温でも分解能の高い表面障壁ダイオードとして動作しうる。300°Kにおける分解能(fwhm)は,5.49MeVのα粒子に対して21keV,140keVのγ線に対して2.5keVであった。最良の分解能は,59.54keVγ線に対して640eV(130°K),84keVの転換電子に対して1.3keV(200°K),8.785α粒子に対して16keV(205°K)であった。エピタキシャル領域の厚さは,≦3mmの接触径で,=60μmであった。α粒子に対する電子・空孔対当りのエネルギーは,300°Kで4.27eV±0.05であり,87°K-340°Kの温度領域にわたって,2.7のバンド間隔の直線的変化を示す。γ線に対するFano因子は≦0.18±0.04(T=125°K)であった。エッチ・バターンや,検出器バイアスによる容量とバルス波高値の変化は,基層とエピタキシャル層の間の中間領域における不純物濃度輪郭に不連続性のあることを示した。直接バンド間隔半導体の超過担体再結合の理論の考察により,電荷収集効率は核分裂片検出の場合でさえも,直接放射性再結合によっては大幅に低下しないことが期待される。14,4と6.3MeVの
252Cf分裂片のエネルギー欠損から,それを実験的に確かめた。室温で動作する特長は,物理学や生物・医学の分野におけるGaAs検出器の応用の発展を期待させる。今後の問題として,より厚い層の成長,中間層における信号減衰の防止,外囲の強化等が挙げられる;写図20表2参52
