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J-GLOBAL ID：201602008697460428   整理番号：73A0042498

(K_3/4Bi_1/4)(Zn_1/6Nb_5/6)O₃とその固溶体における誘電緩和と熱刺激電流

Dielectric relaxation and thermal stimulated curre-nt in (K_3/4Bit_1/4)(Zn_1/6Nb_5/6)O₃ and its solid solutions.

著者 (2件)： NOMURA S ,  KOJIMA F
資料名： Jpn J Appl Phys  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 12  号： 2  ページ： 205-214  発行年： 1973年 
JST資料番号： G0520A  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPA   資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標題物質とペロブスカイト構造のその固溶体について,振動数領域100Hz~4GHz,温度領域。100°C~250°Cで誘電的性質を調べた。単結晶でもセラミックでも室温以下の温度領域で誘電緩和がみられた。 この温度領域はBiイオンをLaイオンにおきかえてゆくほど低温側へずれる。誘電緩和はイオンの不規則性によるポテンシャル障壁を熱運動でイオンが越えることによるらしい;写図13表2参15

シソーラス用語： ポテンシャル障壁 ,  活性化エネルギー ,  熱刺激電流 ,  誘電緩和
準シソーラス用語： 4</sub>Bi_{1 ,  4}Zn_{1 ,  6}Nb_{5 ,  6}O₃ ,  K<sub>3 ,  K_3/4Bi_1/4Zn_1/6Nb<

タイトルに関連する用語 (4件)： O3 ,  固溶体 ,  誘電緩和 ,  熱刺激電流