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J-GLOBAL ID:201602008713344247   整理番号:64A0179042

二次電子増倍管中における光電子の輸送

tfberftthrung von Photoelektronen in Sekundarelectro-nen-Vervie1fachern.
著者 (1件):
資料名:
巻: 12  号:ページ: 2-50  発行年: 1964年 
JST資料番号: B0097A  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR) 
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M12FS60型二次電子増倍管の光電面の感度分布を,小さいPBDシンチレータでのパルス波高測定によって,研究した.電子収量の系統的な位置依存性が認められるが,これは増倍管の電子光学的入口系の形状に基因する.電子収量のゆらぎは光電面と制御用第1電極との間の電圧に依存する.NaI(T1)結晶と有機シンチレータを用いた測定をもとにして,制御用第1電極にかけられた収束用電圧によって分解能およびパルス波高が如何に影響されるかを明きらかにする.収束用電圧が20Vから65Vまでの間で増加するとき,電子収量のゆらぎと平均値は共に減少する;図6参10
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