文献

J-GLOBAL ID：201602008782632670   整理番号：71A0242561

単結晶製造装置

著者 (2件)： 村岡久志 ,  渡辺昭夫
資料名： 電子材料  (Electronic Parts and Materials)
巻： 9  号： 12  ページ： 43-47  発行年： 1970年 
JST資料番号： F0040A  ISSN： 0387-0774  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： シリコン単結晶引上装置は.最近,装置の大形化,材料の再供給法の採用,抵抗加熱方式の採用,および自動化の傾向がある。現在,実用化されている各社の単結晶引上装置の性能を比較する。国際電気DP-4300.Semimetals-Model108A.Hamco・CG-700.Veeco・DYNA-GRO,Norton・Model2809,Leybold-Heraeus・EKZ1000/3000につき.加熱方式,シリコン容量,ルツボ形式,引上ストローク.ルツボ回転速度など15項目につき.性能を比較する;写図10表1参4

準シソーラス用語： シリコン ,  フローティングゾーン ,  単結晶引ヒ装置 ,  単結晶引ヒ装置(シリコン) ,  単結晶製造

タイトルに関連する用語 (1件)： 単結晶製造装置